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삼성전자 3세대 램버스D램 양산


삼성전자가 회로선폭 0.17㎛(1㎛은 100만분의 1m)을 적용한 3세대 램버스 D램 양산에 돌입했다고 14일 밝혔다.0.17㎛의 초미세공정을 적용한 램버스 D램 양산은 삼성전자가 세계에서 처음이다.

삼성전자는 이 제품이 칩 크기 축소 및 내부 신호처리시간 단축을 통해 현존 메모리 반도체 중 최고의 동작속도를 실현한 1066㎒(기존 800㎒가 최고) 초고속 램으로 핀당 1초에 200자 원고지 33만장 분량의 데이터 전송이 가능하다고 말했다.

이번에 양산되는 288메가 램버스 D램 모듈(단품16개) 4개를 탑재하면 최대 2기가 바이트 용량의 메모리 지원이 가능해 고성능 PC나 워크스테이션·게임기·휴대용 통신기기 등 대용량 고속 데이터 전송이 필요한 정보통신 제품에 적합하다고 삼성전자는 설명했다.

특히 0.17㎛의 미세공정 적용으로 기존 제품보다 웨이퍼 당 생산량이 25% 이상 증가,그동안 램버스 D램의 시장확대에 걸림돌이었던 고비용이 해결돼 램버스 D램의 시장확산이 빠르게 진행될 것으로 삼성전자는 내다봤다.

올해 램버스 D램 세계 시장규모는 약 17억달러로 삼성전자는 올해 매출 9억달러를 달성,53%의 세계 시장 점유율을 목표로 하고 있다.삼성전자는 이미 싱크로너스 D램,DDR D램 등 제품군에 대해서도 0.17㎛ 이하 양산 체제를 갖추고 있다.

/ shkim2@fnnews.com 김수헌기자