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0.13㎛ 8Mb S램 세계 첫 국내개발…삼성전자,IMT―2000용


삼성전자가 세계처음으로 0.13 ㎛ ( 1㎛=1백만분의 1m)미세공정기술을 적용한 IMT-2000 휴대폰용 8메가비트 저전력 S램을 개발했다고 19일 밝혔다.

이번에 개발된 제품은 8메가비트의 용량에 1㎂(마이크로 암페어) 이하의 저소비전류, 2.5V에서 55ns(1ns=10억분의 1초)의 고속 데이터 처리능력을 갖추고 있어 IMT-2000 휴대폰에 적합한 제품이다. 삼성전자는 올 연말까지 양산준비를 마친뒤 내년초부터 이 제품을 본격 양산할 계획이다.

S램 세계 1위인 삼성전자는 이번 0.13㎛급 미세공정기술 적용을 시작으로, 내년 0.10㎛, 2003년 0.08㎛급 기술을 S램에 적용할 계획을 갖고 있어 경쟁업체와의 격차를 더욱 크게 벌릴 계획이다.

시장조사기관 데이터퀘스트는 S램 반도체의 최대 시장인 휴대폰시장이 연평균 25%의 고속 성장세를 지속, 올해 5억 2000만대에서 2004년 10억대로 커질 것으로 내다보고 올해 삼성전자는 S램을 23억달러 규모를 팔아 세계시장 점유율을 30%로 높일 계획이다.

삼성전자는 이번 제품 개발로 1세대 아날로그 휴대폰, 2세대및 2.5세대 디지털 휴대폰에 이어 3세대인 IMT-2000 휴대폰에서도 S램시장을 선점할 수 있게 돼, 95년부터 지켜 온 S램 반도체 1위 자리를 더욱 굳힐 수 있을 것으로 예상하고 있다.

/ smnam@fnnews.com 남상문기자