하이닉스, Fe램 상용화기술 개발

하이닉스반도체(대표 우의제)는 차세대 이동통신용 및 시스템온칩(SoC)용 메모리로 적합한 고집적 강유전체 메모리(Fe램)의 상용화 기술 개발에 성공했다고 9일 밝혔다.

이 제품은 0.25㎛의 미세 가공기술을 적용한 4메가 및 8메가 Fe램 샘플로 3.0V의 동작전압에서 70나노초(1나노초는 10억분의 1초)의 고속으로 쓰기와 읽기가 가능하며 1000억번 이상의 반복쓰기가 가능하다.

하이닉스는 트랜지스터와 캐패시터를 각각 2개씩 구성한 기존 제품과 달리 각각 1개씩(1T1C)으로 구성, 메가급 샘플을 확보했다 는데 의미가 있으며 새로운 회로기술과 새로운 강유전체인 비스무스 란타늄 티타네이트(BLT)를 채용해 칩 크기를 축소시키고 소자의 신뢰성도 대폭 향상시켰다고 설명했다.

또 이 제품에 적용된 기술은 64메가급 Fe램까지 별도의 추가 기술개발 없이 활용할 수 있는 표준화된 기술로 개발됐으며 단일 소자로서 뿐만 아니라 임베디드 메모리로서 SoC에 응용이 가능해 향후 SoC 분야에서도 유리한 위치에 오를 수 있게 됐다고 덧붙였다. 이 제품은 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 개최되는 제15회 ISIF학회에서 공식적으로 공개된다.

한편, Fe램은 휴대폰, PDA, 스마트 폰, 스마트 카드 등의 휴대용 단말기들의 급속한 보급과 더불어 그 활용도가 빠른 속도로 확산될 것으로 예상되며 2006년에는 100억달러 규모로 성장할 것으로 전망되고 있다.

/ [e-mail] 윤경현기자