하이닉스, 올해 3조4000억 시설 투자

하이닉스반도체가 올해 해외법인을 포함해 입고 기준으로 3조4000억원 규모의 시설 투자를 계획하고 있다고 6일 밝혔다.

하이닉스는 올해 D램과 낸드플래시 차세대 미세공정 전환에 박차를 가하고 연구개발(R&D) 투자와 시설보수 등에 투자해 기술 경쟁력을 높인다는 계획이다.

또 올해 역시 시장 상황과 경영여건에 따라 투자 규모가 변경할 수 있는 것이 하이닉스의 기본 방침이다.

지난해도 하이닉스는 애초에 2조3000억원을 투자하기로 했다가 이후 반도체호황과 삼성전자의 공격적 투자 등을 감안해 1조원 이상 투자금액을 늘린 바 있다.

업계에서는 하이닉스가 D램에 2조원 이상, 낸드플래시에 1조원 가량을 투자할 것으로 전망하고 있다.

권오철 하이닉스반도체 사장은 지난해 12월 올해 투자에 대해 “투자액은 2010년 수준(약 3조3800억원)에서 조정될 것”이라며 “연간 단위로 사업계획을 짜는 게 아니라 주간 단위로 하고 있다”고 말한 바 있다.

/[e-mail] 예병정기자