(서울=뉴스1) 박주평 원태성 기자 = SK하이닉스(000660)는 내년 말에는 일반 D램 생산량의 절반 이상에 10나노급 6세대(1c) 공정을 활용할 계획이라고 29일 밝혔다.
SK하이닉스는 이날 올 3분기 실적발표 콘퍼런스 콜에서 "내년 신규 생산능력은 이미 공급 계약이 완료된 고대역폭메모리(HBM) 중심으로 활용하고, 일반 D램과 낸드는 기존 생산능력의 선단 공정 전환으로 수요 증가에 대응할 방침"이라며 이같이 말했다.
SK하이닉스는 지난해 1c 나노 공정 개발을 완료하고 올해 양산을 시작했다. 내년 본격적으로 램프 업(가동률 확대)해 생산량을 확대한다는 구상이다.
SK하이닉스는 "낸드의 경우 생산능력 확장보다는 선단 공정 전환을 통해 생산성을 개선할 계획"이라며 "내년에는 TLC뿐 아니라 QLC 제품으로 공급을 확대하면서 321단 제품 생산을 늘리고, 연말에는 낸드 생산량의 절반 이상을 321단 제품으로 전환하도록 준비하고 있다"고 했다.
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