인 지 차세대 유기메모리 개발 성공

<사진은 정과부 화상>

국내 연구진이 ‘테라(1조)비트급 비휘발성 유기메모리(Po램) 셀’ 개발에 성공했다. 플래시 메모리를 대체할 차세대 메모리 개발을 앞당겼다는 평가다.

한양대 박재근 교수는 8일 전도성 유기물 박막 안에 니켈 나노크리스탈을 붙인 다중층 셀을 개발했다고 밝혔다. 이 연구결과는 ‘나노 레터스’ 9일자에 게재된다.

현재 휴대폰이나 디지털 TV에 널리 쓰이고 있는 플래시 메모리는 정보의 입출력이 자유로워 사용자 마음대로 내용을 기록, 소거, 보존할 수 있는 장점이 있지만 속도와 용량을 한꺼번에 향상시키는데 어려움이 있다.

연구팀은 기존 메모리의 단점을 개선하기 위해 유기메모리의 구조를 이중으로 쌓아 8레벨 이상의 다중레벨 셀 동작을 구현시켰다.

그리고 나노 크기 구조 및 온도 변화에 따른 소자의 전기적 특성변화를 분석해 동작 메커니즘을 알아냈다.

Po램은 전자가 방전된 높은 저항 상태에서 ‘쓰기 전압’을 걸어줄 경우 나노크리스탈에 전자가 충전돼 낮은 저항상태로 바뀌며 정보를 저장한다.

‘지우기 전압’을 걸어줄 경우엔 나노크리스탈에 전자가 방전돼 다시 높은 저항상태로 바뀌며 정보가 지워진다.

연구진은 이 Po램이 오는 2015년 상용화될 경우 연간 24억달러 이상의 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다.

박 교수는 “니켈 나노 크리스탈을 유기물 내에 장착해 10만초 이상의 정보저장 시간과 1000회 이상의 읽기, 쓰기 반복 횟수를 구현해 상용화 가능성을 증명했다”고 설명했다.

/[e-mail]이재원기자