산업부토스,재송)인+지면="차세대메모리 SST-MRAM 연구개발 본격 시동"

우리나라가 차세대메모리 주력제품으로 유력한 스핀전달토크형 자기저항메모리(STT-MRAM) 연구개발 사업에 본격 착수했다.

정부와 삼성전자, 하이닉스반도체가 공동출연하고 한국과학기술연구원(KIST), 고려대학교, 성균관대학교, 한양대학교가 참여하는 ‘차세대메모리 산·학·연 공동연구센터’가 26일 개소식을 갖고 STT-MRAM 연구개발의 시작을 알렸다.

STT-MRAM은 플래시메모리의 저장능력과 D램의 빠른 속도를 결합한 30나노 저전력 고집적 메모리로 평가받고 있다.

이날 한양대 퓨전연구센터(FTC)에 문을 연 차세대메모리 공동연구센터에는 뉴욕 알바니대학에 이어 세계에서 두번째로 대학교 내 300mm(12인치) 반도체 장비(8대)가 구축됐으며 세계 1·2위 메모리 기업인 삼성전자와 하이닉스반도체의 전문연구인력이 상주해 공동 연구개발에 참여한다.

이번 사업은 올 3월부터 시작해 2013년 2월까지 진행되며 정부와 민간이 각각 120억씩 출연해 모두 240억원의 연구개발비가 사용된다.

경쟁국인 일본은 지난 2006년부터 동북대에서 도시바가 참여한 가운데 200mm(8인치) 반도체 장비를 이용, STT-MRAM을 개발 중이다.

주관기관이자 차세대메모리 공동연구센터를 총괄하는 한양대 박재근 교수는 “우리나라가 STT-MRAM을 개발한다면 2015년 이후 30나노급 이하 메모리 시장의 45% 이상을 국내 업계가 점유할 것”이라면서 “메모리 세계 1위 기술 경쟁력을 보유하고 있는 만큼 자성 박막 공정 장비 등에서 경쟁력도 확보가 가능하다”고 설명했다.

지식경제부 관계자는 “2015년 STT-MRAM 시장은 530억 달러로 전망된다”면서 “우리 업계의 생산규모는 239억 달러에 이를 것”이라고 말했다.

이날 개소식에는 임채민 지식경제부 1차관을 비롯해 박영아 한나라당 의원, 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스반도체 사장 등 관계자 150여명이 참석했다./[e-mail]최진성기자