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[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 23일 업계 최초로 '1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 밝혔다.
삼성전자는 업계 최소 크기 셀, 최소 몰드 두께를 구현해 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했다.
삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성도 높였다.
채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율도 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.
9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 초당 3.2기가비트(Gb)의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.
9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 삼성전자는 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 '쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'도 양산할 예정이다.
삼성전자는 고성능·고용량 낸드 개발에 속도를 내 인공지능(AI) 시대 반도체 주도권을 잡겠다는 포석이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 글로벌 낸드 매출은 2023년 387억달러(약 53조3000억원)에서 2028년 1148억달러로 연 평균 24%의 성장률을 보일 것으로 예측됐다.
최근 낸드 공급 과잉이 점차 해소되며 가격은 오름세를 보이고 있다. 트렌드포스가 추산한 지난 1·4분기 낸드 평균 가격은 전 분기 대비 23~28% 상승했고, 2·4분기도 13~18% 오를 것으로 전망됐다.
삼성전자 메모리사업부 허성회 플래시개발실장(부사장)은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했다.
mkchang@fnnews.com 장민권 기자
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