정밀도 1.7배, 집적도 2.9배 ↑...SK하이닉스, 차세대 장비 반입

이천 M16공장서 기념 행사

경기도 이천에 위치한 SK하이닉스 M16 전경. SK하이닉스 제공

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 '하이 개구수 극자외선 리소그래피'(High NA EUV) 장비를 이천 M16팹(공장)에 반입, 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다. 이 장비는 기존 EUV 보다 더 큰 NA를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 것이 특징으로 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능하다. SK하이닉스는 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대하고 있다. NA는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치다. 값이 클수록 더 정밀한 회로 패턴 구현이 가능하다.

이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석했다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. SK하이닉스는 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 내다봤다.

SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대했다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구되는 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다는 게 SK하이닉스 설명이다. 반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수기 때문이다. 이번 장비는 이런 시장의 요구 사항을 어느 정도 만족할 수 있을 전망이다.

차 CTO는 "장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

한편 삼성전자는 앞서 올해 3월 화성캠퍼스에 연구개발(R&D)용 High NA EUV 설비를 도입했다.

현재 메모리 및 파운드리 제품 개발에 활용하고 있는 것으로 파악됐다.

[e-mail] 권준호 기자