"반도체 난이도 가파르게 상승" SK하이닉스 대응법은

SK하이닉스 이성훈 R&D 공정담당 부사장
"향후 10년간 미증유의 기술 장벽 직면할 것"
SK하이닉스, AI 활용·협업 강화 방안으로 돌파

이성훈 SK하이닉스 부사장(R&D 공정담당)이 11일 서울 강남구 코엑스에서 열린 세미콘 코리아 2026에서 '메모리 기술의 전환점'을 주제로 기조연설을 하고 있다. 뉴스1

[파이낸셜뉴스] 이성훈 SK하이닉스 부사장(R&D 공정담당)은 11일 "메모리 반도체 업계는 향후 10년 미증유의 기술 장벽에 직면하게 될 것"이라며 "이를 위해 반도체 생태계 차원에서 AI 기반 협업체계를 구축해야 한다"고 밝혔다.

이 부사장은 서울 강남구 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026'에서 '메모리 기술의 변곡점'을 주제로 한 기조연설에서 "메모리 반도체 산업이 구조적 전환기에 들어섰다"고 진단하며, 인공지능(AI) 활용과 반도체 생태계 차원의 협력을 강조했다. 특히 D램이 10나노(㎚)급 이하 공정으로 진입하고, 낸드가 100단 이상 적층 구조로 발전하면서 기술 난도가 가파르게 상승하고 있다고 분석했다. 이에 대응해 SK하이닉스는 주요 공정을 모듈화해 여러 세대에 걸쳐 활용 가능한 '기술 플랫폼'을 구축하고 협력사와 로드맵을 공유하는 방식으로 대응해왔다고 부연했다.

대표적인 예가 엔비디아와 협업이다.

이 부사장은 SK하이닉스는 소재 탐색 과정에 AI를 도입해 한 물질을 찾는 시간을 기존 대비 400분의 1 수준으로 줄였고, 엔비디아와 협력한 공정 프로젝트에서는 필요한 웨이퍼 수를 10분의 1로 감소시키는 성과를 거뒀다고 설명했다.

향후 기술 방향도 제시했다. D램은 스케일링을 넘어 본딩 기술이 도입되고, 버티컬 채널 구조를 거쳐 셀을 적층하는 3D D램까지 발전할 것으로 전망했다. 낸드는 이미 3D 구조로 전환했지만 적층이 높아질수록 채널 길이가 길어져 전류 한계가 나타나고 있어 구조 혁신과 공정 개선, 나아가 새로운 채널 물질 개발까지 검토하고 있다고 밝혔다.

이 부사장은 "앞으로 마주할 기술 변곡점에 대응하기 위해서는 구조와 물질에서의 혁신이 필수적"이라며 "수직 게이트(VG), 3D D램 및 초고층 낸드 구현을 위해 구조적 변화와 함께 신물질 도입의 필요성이 더욱 커지고 있다"고 설명했다.

그는 AI 기반 협업이 차별화된 해결책이 될 수 있다고 봤다. 이 부사장은 "R&D 난이도가 높아짐에 따라 기존보다 더 많은 인력과 리소스 투입이 요구되고 있다"며 "AI 기반 협업은 기존과는 차별화된 새로운 해결책이 될 수 있다"고 말했다.

그는 "이러한 AI 기반 R&D의 핵심 요소인 '데이터 관리'와 'AI 모델'은 비단 한 기업의 숙제가 아닌, 반도체 생태계 전체가 함께 해결해야 할 공동 과제"라며 "SK하이닉스는 협력사와 공유 가능한 AI 생태계를 구축하고 이를 기존 협업 체계와 유기적으로 결합해 기술적 한계를 극복하며 미래 반도체 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

[e-mail] 조은효 기자