美 반도체 장비사 AMAT 국내 기자 간담회 진행
실리콘밸리 R&D 협업 기지 첫 펀딩 멤버는 '삼성'
2나노 이하 초미세 공정 겨냥한 신제품 3종 공개
차세대 메모리 제품서도 '협업할 의지' 드러내
실리콘밸리 R&D 협업 기지 첫 펀딩 멤버는 '삼성'
2나노 이하 초미세 공정 겨냥한 신제품 3종 공개
차세대 메모리 제품서도 '협업할 의지' 드러내
[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 2나노(나노·1㎚=10억분의 1m) 이하 초미세 공정 경쟁력 강화를 위해 글로벌 1위 반도체 장비업체 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)와 공동 연구개발(R&D) 체계를 구축한다. 차세대 게이트올어라운드(GAA) 공정 수율(양품 비율)과 성능을 동시에 끌어올리기 위해 장비 단계부터 협업에 나설 예정이다. 삼성전자는 AMAT가 미국 실리콘밸리에 50억 달러(약 7조2000억원)를 투자해 만드는 반도체 R&D 거점 '에픽 센터'의 첫 번째 파트너로 참여하고, AMAT는 첨단 반도체 공정 기술 및 제조 장비 등을 통해 파운드리(반도체 위탁생산) 및 메모리 전 분야에 걸쳐 긴밀한 협업을 이어간다는 방침이다.
박광선 AMAT 코리아 대표(사진)는 12일 서울 강남구 조선팰리스호텔에서 열린 기자간담회에서 "우리의 반도체 R&D 협업 센터 '에픽 센터'에 삼성전자가 첫 펀딩 멤버로 참여하게 됐다"며 "(삼성의 투자는) 시작이고 다양한 고객들이 참여해서 기술 개발을 가속화할 예정"이라고 밝혔다.
1967년 설립된 AMAT는 세계 반도체 장비 '1위' 기업이다.
이에 따라 삼성전자가 에픽 센터의 첫 번째 펀딩 멤버로 참여해 초기 단계부터 공정 공동 최적화에 나선 것으로 풀이된다. 실제 AMAT는 이날 2나노 이하 공정을 겨냥한 신제품 3종을 공개해 기술에 대한 기대감을 높였다. 먼저 어플라이드의 프로듀서 '비바 라디칼 처리' 시스템은 초순수 라디칼(활성산소)을 활용해 GAA 실리콘 나노시트의 표면을 평탄화하는 데 특화된 장비다. 나노시트는 폭이 몇 나노에 불과한 초박막 실리콘으로 만들어진다. 그러나 나노시트는 원자 수준의 거칠기나 오염만 있어도 전기적 특성과 전체 칩 성능에 상당한 영향을 받기 때문에, 이를 최소화해 전자 이동도를 극적으로 향상시키고 에너지 효율을 개선하는 데 필요한 장비다.
'심3 Z 매그넘' 식각 시스템은 2세대 펄스 전압 기술(PVT2)을 적용, 독립적인 이온 각도 및 이온 에너지 조정이 가능해졌다. 이를 통해 균일한 나노시트, 더 빠른 스위칭 속도, 고품질 에피택시를 가능하게 함으로써 트랜지스터 속도와 칩 성능을 향상시킬 수 있다. 아울러 '센트리스 스펙트럴 몰리브덴 원자층증착(ALD)' 시스템은 기존 텅스텐 콘택트를 몰리브덴으로 교체해, 콘택트 저항을 기존 대비 최대 15% 낮출 수 있다. 이를 통해 칩 성능과 에너지 효율 극대화가 가능하다.
이러한 기술력을 통해 AMAT는 삼성전자와 함께 2나노 GAA 공정 고도화를 추진하는 동시에, 차세대 메모리에서도 협업 기회를 열 것으로 예상된다. 삼성전자는 전날 세미콘 코리아에서 고대역폭메모리(HBM)4 다음으로 HBM4E, HBM5는 물론 '커스텀 HBM'과 'zHBM' 등을 포함한 차세대 로드맵을 공개하며 AI 고객 맞춤형 메모리 전략을 본격화했다. 이와 관련해 장대현 AMAT 코리아 시니어 디렉터는 "에픽 센터에서는 (삼성전자와) 첨단 노드부터 개발을 같이 하려고 하고 있다"며 "기회가 된다면 (차세대 메모리 분야에서도) 협업할 의지는 있다"고 전했다.
soup@fnnews.com 임수빈 기자
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