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삼성 HBM4 '1초에 영화 750편' 전송…압도적 속도로 AI 시장 정조준

임수빈 기자

파이낸셜뉴스

입력 2026.03.13 15:34

수정 2026.03.13 15:02

공식 유튜브 통해 HBM4 스펙 전달
삼성전자 HBM4 이미지. 삼성전자 제공
삼성전자 HBM4 이미지. 삼성전자 제공

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 최근 업계 최초로 고대역폭메모리(HBM)4를 양산 출하한 가운데, '업계 최고' 수준의 스펙을 재차 강조하며 HBM4 시장 지배력 강화에 본격 힘쓰고 있다.

13일 삼성전자는 공식 유튜브를 통해 '1초에 영화 750편을 전송한다고? 삼성전자 HBM4 압도적 스펙 요약'이라는 제목의 HBM4 소개 영상을 게재했다.

업계에 따르면 삼성전자의 HBM4(6세대)는 HBM3E(5세대)에서 적용된 1024개의 데이터 전송 입출력단자(I/O) 핀보다 두 배로 증가한 2048개의 I/O 핀 인터페이스를 적용한다. 삼성전자 HBM4의 동작 속도는 11.7Gbps(초당 기가비트)를 안정적으로 확보했고 최대로는 13 Gbps에 달한다. 이를 바탕으로 단일 스택당 최대 3.3 TB/s의 메모리 대역폭을 구현했다.

이는 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 수준으로, 4GB 용량의 영화 파일 750편을 1초 만에 전송할 수 있는 전송 속도다. 이러한 성능은 대규모 인공지능(AI) 모델의 학습과 추론 과정에서 요구되는 방대한 데이터 처리 수요에 효과적으로 대응하도록 설계됐다.

HBM4는 코어 다이에 삼성전자의 1c D램(10나노급 6세대)을, 베이스 다이에는 4나노 로직 공정을 적용해 메모리와 파운드리의 기술 역량을 결합했다. 이는 업계를 선도하는 종합 반도체 기업(IDM)으로서 삼성전자만의 차별화된 경쟁력이 만들어낸 결과로, 메모리와 로직 간 인터페이스를 더욱 정교하게 구현해냈다.

삼성전자 HBM4 라인업은 12단 적층 구조를 기반으로 24GB부터 36GB까지의 용량으로 구성되며, 향후 16단 적층 기술을 적용해 메모리 용량 증가 요구에도 대응할 계획이다.
이 같은 고용량 HBM 제품의 구현은 실리콘 관통 전극(TSV)을 활용한 삼성전자의 첨단 패키징 기술을 통해 가능하다.

삼성전자 관계자는 "HBM4의 아키텍처는 이전 세대 대비 전력 소모를 약 40% 줄여 AI 인프라의 에너지 부담을 크게 낮췄다"며 "열 저항 특성도 약 10% 개선됐으며, 방열 성능은 약 30% 강화됐다.
이를 통해 열 부하가 높은 AI 데이터센터 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있다"고 전했다.

soup@fnnews.com 임수빈 기자