하이닉스반도체는 미국 A사에 대한 공급량 확대에 대비, 중국 생산기지에서도 낸드플래시를 생산키로 계획을 세웠다. 메모리 반도체인 낸드플래시는 MP3·개인휴대용단말기(PDA)·디지털카메라·뮤직폰 등 휴대용 전자기기에 주로 사용되며 4�l 이상 대용량 저장이 가능해 최근에 시장이 급성장 중이다.
하이닉스 고위관계자는 10일 "연말부터 수요가 급증할 것으로 예상되는 낸드플래시 물량을 확보하기 위해 조만간 중국에서 가동하는 300㎜ 웨이퍼 생산라인인 C2에 2억5000만달러를 추가 투자키로 했다"고 밝혔다.
그는 이어 "향후 A사에서 낸드플래시 공급량을 늘려 달라고 할 경우에 대비하기 위한 것이 이번 투자의 목적"이라고 말하고 "C2 라인에선 D램과 낸드플래시 생산이 모두 가능해 시장 상황에 따른 효율적인 물량 조율도 가능할 것"이라고 전망했다.
하이닉스는 당초 중국 장쑤성 우시시에 200㎜ 웨이퍼 생산라인 C1과 300㎜라인 C2를 구축해 D램 반도체를 주로 생산할 계획이었다.
앞서 하이닉스는 경기 이천에서 D램 전용으로 운영된 300㎜라인 M10에서 생산되는 반도체의 40%를 낸드플래시로 바꾸겠다고 밝힌 바 있다. 이번 중국 우시 공장의 C2라인에서 생산되는 낸드플래시 비율까지 합치면 그동안 D램에 치우쳤던 하이닉스의 매출 비중이 다변화될 것으로 기대된다. 지난 1·4분기에 하이닉스의 D램과 낸드플래시 비중은 84대 16 정도였다.
한편, 하이닉스와 삼성전자 등 주요 반도체 업체들은 최근까지 A사와 낸드플래시 추가 공급협상을 진행해왔다. A사는 이번 협상을 통해 이들 기업에 낸드플래시 공급량을 기존보다 10∼15% 이상 늘려줄 것을 요청한 것으로 전해졌다.
/rainman@fnnews.com 김경수기자
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