삼성전자가 세계 최초로 머리카락 굵기의 3000분의 1가량인 미세 공정기술을 적용한 초소형 반도체를 개발했다.
삼성전자는 40나노(㎚)급 공정기술을 처음 적용한 더블데이터레이트(DDR)2 D램 제품을 개발해 연내 상용화한다고 4일 밝혔다.
삼성전자는 지난 2005년 60㎚급 D램 개발을 비롯해 2006년 50㎚급 D램, 2009년 40㎚급 D램 제품까지 세계최초의 개발 행진을 거듭하고 있다.
이번 제품 개발을 통해 삼성전자는 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보하게 됐다.
더불어 삼성전자는 반도체시장의 대세인 친환경(Green) 경쟁력도 보강할 수 있게 됐다.
특히 이번 40㎚급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 지난해 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료했다.
삼성전자는 이번에 개발한 40㎚ 1기가비트(Gb)급 DDR2 D램을 올해 하반기에 양산까지 들어갈 예정이다. 이어 삼성전자는 올해 40㎚ 2Gb DDR3까지도 개발 완료할 계획이다.
이는 삼성전자가 공정이 미세한 40㎚급에서 신제품 양산 기간을 종전 50㎚급보다 1년 이상 단축한다는 의미다.
이로 인해 삼성전자는 현재 50∼60㎚급 D램을 양산하고 있는 D램 경쟁사보다 1∼2년 이상 앞서갈 수 있을 전망이다.
40㎚급 D램은 50㎚급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상되는 동시에 저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2볼트(V) 동작이 가능하다.
따라서 기존 50㎚급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있다.
삼성전자 관계자는 “40㎚급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출할 것”이라면서 “향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 업계 최고의 기술 리더십을 확보해 나가겠다”고 전했다.
/hwyang@fnnews.com 양형욱기자
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