삼성―IBM 차세대 반도체 공정 공동개발

삼성전자는 미국 IBM과 공동으로 20나노미터(㎚) 이하의 차세대 로직공정을 개발한다고 13일 밝혔다.

양사는 지난 2005년부터 전략적 제휴를 통해 공동으로 65㎚·45㎚·32㎚ 공정기술을 개발한 데 이어 이번에 20㎚ 이하까지 개발에 나선 것.

20㎚ 이하의 로직공정은 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 기기용 반도체를 비롯해 고성능 컨슈머 기기 및 클라우딩 컴퓨팅 분야에도 널리 사용될 차세대 공정기술이다.

이번 20㎚ 이하급 공정개발은 IBM의 뉴욕연구소와 삼성전자 반도체연구소에서 공동으로 추진할 예정이다.

삼성전자는 이를 위해 뉴욕 알바니 나노테크 센터에 위치한 SRA(Semiconductor Research Alliance)에 참여해, 20㎚ 미만 차세대 공정개발을 위한 기초 단계인 신물질 개발, 트랜지스터 구조 개발 등과 같은 선행연구개발을 진행한다.

삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 기술개발팀 정은승 전무는 “선행 연구개발을 통해 양사의 차세대 공정능력을 강화시키고, 이를 통해 지속적인 기술 리더십을 유지할 것”이라고 전했다.

IBM 반도체 부문 마이클 캐디건 대표는 “혁신적인 컨슈머, 컴퓨팅 기기를 만들기 위해 반도체 분야의 협력은 매우 중요하다”며 “선행연구개발 단계에서부터 삼성과 협력하게 되어 매우 기쁘다”고 말했다.

한편 삼성전자·IBM·글로벌 파운드리 등이 참여하고 있는 커먼 플랫폼은 오는 18일 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 커먼 플랫폼 테크 포럼을 개최해 차세대 반도체 기술 및 솔루션에 대해 논의하는 자리를 마련할 계획이다.

이 행사에는 암(ARM), 퀄컴 등의 반도체 업체와 애널리스트, 기자 등 다양한 업계 관계자들이 참석할 예정이다.

/[e-mail]양형욱기자