이재용 '뉴삼성' 속도... 작년 R&D 22조 투자

사상최대… 전년比 6.4% 늘어
실적악화에도 매년 1조이상 ↑
시스템반도체 등 신사업 집중

삼성전자가 지난해 사상 최대 규모인 22조원 이상을 연구개발(R&D)에 투자한 것으로 나타났다. 특히 글로벌 반도체 기업들의 경쟁이 가열되는 상황에서 미래 먹거리로 점찍은 시스템반도체 부문의 기술혁신에 집중 투자해 '뉴 삼성' 행보에 속도를 내고 있다.

20일 삼성전자가 공시한 연결감사보고서에 따르면 2021년 R&D 총지출액은 22조5954억원으로 집계됐다.

1년 전(21조2209억원)보다 6.4% 증가한 것이다.

삼성전자의 R&D 지출액은 지난 2016년 14조7923억원을 기록한 이래 5년 연속 증가세를 이어갔다. 특히 실적악화에도 기술경쟁력 확보를 위해 R&D 투자를 수년간 꾸준히 늘려왔다. 전년 대비 매출액과 영업이익이 각각 5.5%, 52.8% 감소했던 2019년의 경우 R&D 총지출액은 처음으로 20조원을 돌파했고, 이후에도 매년 1조원 이상 투자를 확대했다. 매출액 대비 연구개발비 비중은 2020년 8.9%에서 8.0%로 소폭 하락했다.

삼성전자의 R&D 투자는 시스템반도체 부문에 집중됐을 것으로 분석된다.

지난해 삼성전자는 오는 2030년까지 시스템반도체 R&D, 생산시설 확충 등에 171조원을 쏟아붓는 투자계획을 발표했다. 10년간 연평균 투자 규모만 17조원가량에 달한다. 2019년 세운 133조원 규모의 투자계획보다 38조원이 늘었다. 실제 R&D 지출 규모가 증가세로 돌아선 2017년을 기점으로 전 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 대만 TSMC와 7나노미터(㎚=10억분의 1m) 이하 초미세공정 개발·양산을 위한 투자 경쟁이 한층 치열하게 펼쳐지고 있다.

삼성전자는 2017년 극자외선(EUV) 기술 기반 7나노 공정을 세계 최초로 개발한 후 2018년 양산에 들어갔다. 2019년에는 EUV 기반 5나노 공정 개발에 성공했다.

삼성전자는 차세대 트랜지스터 제조기술인 게이트올어라운드(GAA)를 적용한 3나노를 올해 상반기 양산하고, 2025년 2나노 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자 파운드리 시장점유율은 17.1%(2021년 3·4분기 트렌드포스 기준)로, 53.1%를 점한 TSMC를 뒤쫓고 있다. 삼성전자는 지난해 시설투자액 48조2000억원 중 반도체에 43조6000억원을 투입했다.

[e-mail] 장민권 기자