삼성 메모리 패권선언... 내년 10나노 D램 양산

2030년까지 1000단 V낸드 개발
초격차 기술로 '1위 굳히기' 나서

【파이낸셜뉴스 실리콘밸리·서울=홍창기 특파원 장민권 기자】 삼성전자가 내년에 세계 최초로 5세대 10나노미터(1㎚=10억분의 1m)급 D램을 양산한다. 또 오는 2030년까지 데이터를 저장하는 셀을 수직으로 1000단까지 쌓는 형태의 V낸드플래시도 개발한다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 3년 만에 오프라인으로 개최한 '삼성 테크 데이 2022'에서 이 같은 차세대 메모리반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

삼성전자가 이날 공개한 로드맵의 핵심은 '초격차 기술 구현을 통한 메모리반도체 1위 수성'이다.

이를 위해 내년부터 세계 최초로 '5세대 10나노급 D램' 양산에 돌입한다. 반도체는 회로 선폭이 좁아질수록 공정 난이도는 상승하지만 그만큼 성능과 전력효율이 향상된다. 이에 따라 4세대 14나노급 D램을 생산 중인 경쟁사들보다 기술력에서 또다시 한발 앞서게 됐다. 삼성전자는 '하이케이 메탈 게이트' 공정 등 새로운 공정기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다.

또 2024년까지 9세대 V낸드 양산에 이어 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다는 계획도 공개했다. 낸드는 전원이 꺼져도 데이터가 저장된다. 셀을 높이 쌓을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 된다.

1000단 V낸드는 7세대(176단 제품) 대비 저장용량이 5배에 달한다. 미국 마이크론은 지난 7월 세계 최초로 232단 낸드 양산에 들어갔으며, SK하이닉스는 내년 상반기 283단 낸드를 양산할 계획이다.

한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "300단으로 올리는 것은 현재 삼성 기술력으로 충분하지만 1000단은 다른 이야기"라며 "삼성전자는 혁신적인 낸드 기술로 새로운 시장을 열겠다"고 말했다.

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