SK하이닉스 "10나노 1c 기술, HBM에도 적용"

차세대 모든 D램 제품군 적용
이전세대보다 11% 빨라지고
전력 효율은 9% 이상 개선돼
연내 양산 마치고 내년부터 공급

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 세계 최초 개발에 성공한 10나노미터(1nm=10억분의1m) 6세대(1c) 기술을 더블데이터레이트(DDR)5 및 고대역폭메모리(HBM)에 적용한다.

SK하이닉스는 10일 뉴스룸을 통해 "1c 개발의 의의는 무엇보다 이 기술이 HBM, 저전력(LP)DDR, 그래픽(G)DDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 적용된다는 데 있다"고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 8월29일 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발 성공 소식을 알렸다.

손수용 개발테스트 담당 부사장은 "1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했지만 1c DDR5는 시작일 뿐"이라며 "앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용돼 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것"이라고 말했다.

1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 초당 8Gb로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 또 SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이뤄냈다.

D램 공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율(양품 비율) 저하 등 문제가 발생할 가능성이 높아진다.

SK하이닉스는 1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다. 트리밍 기술은 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈를 활용해 성능을 상향시키는 기술이다.

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

[e-mail] 장민권 기자