칩스케이, GaN 전력반도체 기술 국제상표 등록

[파이낸셜뉴스] 전력반도체 전문기업 칩스케이가 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 질화갈륨(GaN) 전력반도체 기술에 대한 국제상표를 등록했다고 1일 밝혔다.

칩스케이는 제09류(전력반도체·전력변환장치 등)에 해당하며 등록 명칭은 'High GaN'이다. 'High GaN'은 칩스케이 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미로 상표 등록을 통해 기술의 브랜드화 및 글로벌 지적자산(IP) 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다.

칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 △고속 충전기 △인공지능(AI) 데이터센터 △산업용 전원장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다.

연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 거래처와 파트너에 'High GaN' 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 새로운 거래처 확보를 위한 마케팅에 집중할 계획이다.

곽철호 칩스케이 대표는 "'High GaN' 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화할 것"이라고 말했다.

한편 칩스케이는 2017년 설립된 GaN에 특화된 전자소자 설계 전문 팹리스 반도체 회사다. 고성능 전력반도체 분야에 주력하며 차별화된 기술 경쟁력을 확보하고 있다.

[e-mail] 강경래 기자