SK하이닉스, 용인 1기 팹 건설에 21조 추가투자

클린룸 오픈 내년 2월로 앞당겨

SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 생산 거점으로 중장기 투자 중인 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(반도체 생산공장) 완공을 위해 21조원대 추가 투자를 확정했다. AI 메모리 수요 급증에 대응해 생산능력을 확충하고, 고대역폭메모리(HBM) 등 글로벌 메모리 경쟁에서 주도권을 굳히기 위해 투자에 속도를 내는 것으로 풀이된다.

SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 5개를 추가로 구축하기 위해 21조6081억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.

투자 기간은 오는 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다.

앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조4000억원을 투자하기로 결정한 바 있다. 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총투자액은 약 31조원으로 확대됐다.

이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고, 전체 클린룸을 구축하는 데 활용될 예정이다. 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 클린룸 오픈 시점은 기존 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 예정이다.

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다. 또 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여곳과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 하는 등 총 600조원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다. 지난해 2월 1기 팹을 착공, 2027년 중으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다. 1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킬 계획이다.

SK하이닉스 측은 "추가 시설투자비 집행은 회사의 대규모 투자계획이 본궤도에 올랐음을 보여준다"며 "앞으로도 고객의 중장기 수요 전망과 기술발전 속도를 종합적으로 반영한 투자로 시장의 성장 방향을 예측하고 선도해 나갈 것"이라고 전했다.

한편 SK하이닉스는 오는 3월 25일 경기 이천 본사에서 정기주주총회를 열고 차선용 미래기술연구원장(사장)을 사내이사로 선임할 예정이다. 차 사장은 D램 개발 전문가로 2022년부터 미래기술연구원을 이끌고 있다.

[e-mail] 임수빈 기자