삼성전자, HBM4E 최초 공개…'토털 솔루션'으로 엔비디아와 동맹 견고히

이번 GTC 2026 전시서 HBM4E 실물 칩 최초 공개
속도 16Gbps, 4.0TB/s 대역폭 지원하는 '괴물 칩'
베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리·스토리지 적기 공급

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈'에 들어갈 6세대 고대역폭메모리(HBM)4를 최초 양산 출하한 데 이어, 후속 제품인 7세대 HBM4E 기술까지 공개하며 차세대 AI 메모리 시장에서 '초격차' 전략에 속도를 내고 있다. 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 기술 컨퍼런스 'GTC 2026' 무대에서 HBM4 양산 성과와 함께 HBM4E 실물 칩이 첫 공개된다. 아울러 HBM과 소캠(SOCAMM), 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 베라 루빈 플랫폼에 필요한 메모리·스토리지를 모두 공급할 수 있는 '메모리 토털 솔루션' 역량도 함께 제시할 계획이다.

HBM4E 실물 칩, 코어 다이 웨이퍼 최초 공개

17일 업계에 따르면 삼성전자는 이번 GTC 2026 전시에서 HBM4 양산을 통해 축적한 1c(6세대) D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스다이 설계 역량을 바탕으로 한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또 삼성전자는 영상을 통해 열압착본딩(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 하이브리드 본딩(HCB) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

아울러 삼성전자는 이번 전시에서 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.

삼성전자 관계자는 "종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획"이라고 전했다.

베라 루빈에 '메모리 토털 솔루션' 적기 공급

삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량도 부각했다. 엔비디아 갤러리를 별도로 구성해 △루빈 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4 △루빈 중앙처리장치(CPU)용 SOCAMM2 △스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시해 양사의 협력을 강조했다.

삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.

뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서 해당 제품을 확인할 수 있다.

AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적이고, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정이다. 삼성전자 측은 "양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라고 말했다.

[e-mail] 임수빈 기자