삼성전자, 세계 최초 DDR5X D램 개발 "내년 양산"

지난달 DDR5 D램에 이어 곧바로 업그레이드 된 기술 발표

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 업계 최초로 차세대 D램인 'LPDDR5X(저전력 더블 데이터 레이트 5X)'를 개발했다고 9일 밝혔다. 이 제품은 지난달 삼성전자가 양산을 발표한 DDR5의 업그레이드된 성능을 구현한다. 삼성전자는 고객사의 완제품 수요가 생기는 내년부터 LPDDR5X D램을 본격 양산할 계획이다.

삼성전자의 14나노 LPDDR5X는 한층 향상된 속도, 용량, 절전이 특징으로 5세대(5G) 이동통신, 인공지능(AI), 메타버스 등 폭발적으로 성장하고 있는 미래 첨단 산업에 최적화된 메모리 솔루션이다. 삼성전자는 지난 2018년 세계 최초 8Gb(기가비트) LPDDR5 D램을 개발한데 이어 이번에도 LPDDR5X 개발을 통해 모바일 D램 시장에서 기술 초격차를 더욱 공고히 했다.

DDR은 D램의 규격이며 뒤에 붙는 숫자가 높을수록 성능이 뛰어나다는 의미다. 현재까지도 가장 많이 쓰이는 DDR4는 2013년 출시된 제품이다. 데이터센터와 기업용 서버 시장 등 DDR5 생태계가 자리잡는 내년부터 본격적인 D램 규격의 세대 교체가 일어날 전망이다.

업계 최선단인 14나노 공정이 적용된 5X D램의 동작 속도는 현존하는 모바일 D램 중 가장 빠른 최대 8.5Gbps로 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르고 소비전력 효율도 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 5X D램의 단일칩 용량을 16Gb으로 개발하고 모바일 D램 단일 패키지 용량을 최대 64GB(기가바이트)까지 확대해 5G 시대 고용량 D램 수요에 적극 대응할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 설계팀 전무는 "최근 고속으로 대용량의 데이터 처리가 필요한 첨단 산업이 확대되고 있다"며 "이번 5X D램을 통해 모바일 시장뿐만 아니라 서버, 오토모티브 시장까지 고성능 저전력 메모리 수요를 창출해 나갈 것"이라고 강조했다.

아울러 삼성전자는 지난달 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 DDR5도 양산을 시작했다.

EUV 장비를 활용하면 웨이퍼에 더 얇게 선폭을 그릴 수 있어 웨이퍼당 가격 경쟁력이 획기적으로 상승한다.

시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자의 2·4분기 모바일 D램 점유율은 55%로 2위인 SK하이닉스(25%) 대비 2배 이상을 유지하고 있다.

SK하이닉스는 내년 초 LPDDR5X 개발을 완료할 계획이다.

※ 삼성전자 모바일 D램 양산 이력
2009년 256MB (50나노급 1Gb MDDR, 400Mb/s)
2010년 512MB (40나노급 2Gb MDDR, 400Mb/s)
2011년 1GB/2GB (30나노급 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s)
2012년 2GB (30나노급 4Gb LPDDR2, 1600Mb/s)
2013년 2GB (20나노급 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
3GB (20나노급 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
3GB (20나노급 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
2014년 3GB (20나노 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
4GB (20나노 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s)
2015년 6GB (20나노 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s)
2016년 8GB (10나노급(1x) 16Gb LPDDR4, 4266Mb/s)
2018년 8GB (10나노급(1y) 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s)
2019년 12GB (10나노급(1y) 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s)
12GB (10나노급(1y) 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s)
2020년 16GB (10나노급(1y) 16Gb LPDDR5, 5500Mb/s)
2021년 64GB (14나노 16Gb LPDDR5X, 8500Mb/s) 개발

[e-mail] 김경민 기자