삼성전자 "HBM에 SK하닉 기술 도입 보도, 사실 아냐"

[서울=뉴시스]삼성전자 HBM3E 12H D램 제품 이미지. (사진 = 업체 제공) 2024.02.27. [e-mail] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이현주 기자 = 삼성전자가 13일 HBM(고대역폭메모리)에 SK하이닉스 기술을 도입한다는 보도에 대해 "사실이 아니다"고 반박했다.

이날 로이터 통신은 삼성전자가 SK하이닉스의 'MR-MUF' 공정을 도입하기 위해 관련 제조 장비를 구매했다고 보도했다.

최근 첨단 HBM 전쟁에서 SK하이닉스는 한발 앞섰다는 평가를 받고 있는데, 그 이유로는 자체 기술인 'MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)' 기술이 꼽힌다.

HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커지는데, 더 많이 쌓으려면 D램 칩의 두께가 필연적으로 얇아지게 된다. 많이 쌓을수록 압력이 강해지고 웨이퍼 휨 현상이 발생할 수 있는데, SK하이닉스는 칩을 쌓을 때마다 위에 얇은 패드를 가접착해 휘어짐을 예방한다.

또 칩을 다 쌓은 뒤 포장할 때 액상 재료를 압력으로 흘려 넣어 굳히는 방식으로 생산성을 개선하고, 신규 보호재를 사용해 열 방출도 줄였다.

삼성전자의 경우 HBM 생산에 NCF(열압착 비전도성 접착 필름) 공정을 채택하고 있다.

삼성전자가 개발한 NCF 기술은 쌓을 때마다 필름 형태의 소재를 깔면서 칩을 부착하는데, 12단 제품에 이르러서는 휨 현상을 해결하기 어렵다는 평가가 있었다.

하지만 삼성전자는 "칩 전면을 열과 하중을 인가해 본딩(접합)하기 때문에 칩 위어짐을 용이하게 제어할 수 있다"며 NCF 기술로 충분히 대응할 수 있다는 입장을 유지하고 있다. 최근 공개한 5세대 HBM3E 12단 제품에도 NCF 기술을 적용했다.

삼성전자는 이번 보도와 관련 "명백히 사실이 아니다"며 "NCF 방식으로 최적의 솔루션을 충분히 만들고 있다"고 강조했다.

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