삼성전자 반도체 기술 中 유출한 삼성전자 前 직원, 1심서 징역 7년 선고

[파이낸셜뉴스] 삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 전 삼성전자 연구원이 1심에서 실형을 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의28부(한대균 부장판사)는 22일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전모씨에 대해 징역 7년을 선고했다.

재판부는 해당 기술을 국가 핵심기술로 인정하며 국가에 끼친 손해가 크다고 강조했다.

재판부는 "우리나라 대기업이 거액을 들여 개발한 핵심 정보를 취득해 외국에 사용하게 했다"며 "기업은 물론 대한민국에까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다"고 질타했다.

전씨는 전직 삼성전자 부장 김모씨와 함께 중국 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 중국 기업에 유출한 혐의로 지난해 5월 구속기소됐다.

CXMT는 중국 지방정부가 2조 6000억원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사다. 유출된 기술은 삼성전자가 1조 6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술로 알려져 있다.

전씨는 해당 기술을 넘기는 대가로 CXMT로부터 계약 인센티브 3억원, 스톡옵션 3억원 등을 포함해 6년간 29억원을 받은 것으로 조사됐다.

앞서 재판에 넘겨진 김씨는 지난 2016년 CXMT로 이직하며 핵심 공정 관련 기술자료를 유출한 혐의로 2심에서 징역 6년과 벌금 2억원을 선고받았다가 대법원에서 파기환송돼 현재 서울고법이 심리하고 있다.

대법원은 원심이 부정경쟁방지법상 영업비밀의 '취득', '사용', '제3자 누설' 등을 각각 독립적으로 판단하지 않았다며 사건을 돌려보냈다.

원심은 공범끼리 영업비밀을 주고받은 '누설' 행위가 '사용' 행위에 포함된다고 판단했으나, 이를 별개 범죄로 봐야한다는 취지다.

[e-mail] 정경수 기자