삼성전자, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 2029년 조기 완공 추진

삼성전자, 용인 국가산단에 총 6기 구축 목표
정부, 당초 2047년에서 2040년으로 조정 방침
1기 팹도 2031년 구축에서 2029년으로 앞당겨
글로벌 메모리 반도체 업계, 증설 경쟁 가속화

[파이낸셜뉴스] 글로벌 메모리 반도체 업계가 증설 경쟁에 돌입한 가운데 삼성전자도 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(공장) 가동 시점을 당초 계획보다 1∼2년 앞당긴 2029년으로 조정 중인 것으로 확인됐다. 정부의 용인 반도체 클러스터 조기 가동 방침과 글로벌 반도체 업계의 메모리칩 생산능력 확대 움직임과 맞물려, 삼성전자 역시 속도를 내는 모습이다.

12일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 용인 국가산단에 들어설 총 6기 반도체 공장 중 1기 팹의 가동 시점을 당초 2030~2031년에서 2029년으로 재설정했다. 지난달 29일 청와대에서 열린 3대 메가프로젝트 대국민 보고회에서 정부가 삼성전자와 SK하이닉스의 용인 반도체 클러스터의 마지막 팹 완공 시점을 각각 7년(당초 2047년→변경 2040년), 12년(2045년→2033년)씩 앞당기겠다는 방침을 정하면서, 첫번째 팹 가동시점도 1~2년 조정된 것이다.

통상 최첨단 반도 공장 건설엔 2년 가량 소요된다. 1기 팹이 2029년에 가동되려면 늦어도 올해 하반기에는 부지 조성 공사가 시작돼 내년 중에는 착공과 함께 본격 골조 공사가 진행돼야 한다.

정부가 호남 반도체 클러스터와 함께 용인 클러스터에도 속도를 내겠다는 입장을 내놓은 만큼, 용인 산단의 전력과 용수 등 핵심 인프라 공급 일정 역시 앞당겨질 수 있다는 게 업계의 시각이다. 정부와 지방자치단체의 부지 조성과 토지·지장물 보상, 수용 재결, 시공사 선정, 3GW급 액화천연가스(LNG) 발전소 조기 착공, 2·3단계 전력 공급 일정 단축, 단계별 용수 공급 조기화 등이 차질없이 전개돼야 가능한 일정표다.

반도체주 정점론에도 빅테크들의 인공지능(AI) 투자 확대로 메모리칩 공급 부족은 상당기간 지속될 것으로 보인다. 삼성전자, SK하이닉스를 필두로 글로벌 반도체 업계의 증설경쟁도 한층 치열해 질 전망이다. 삼성전자는 지난달 말 3대 메가 프로젝트 발표에서 평택·용인 반도체 클러스터 등에 2030조원, 호남권에 400조원 등을 투자하겠다는 계획을 발표했다. 미국 마이크론은 2028년 하반기 가동을 목표로 일본 히로시마에 1조5000억엔(약 14조2000억원)을 투자해 차세대 D램 및 고대역폭메모리(HBM)공장을 짓기로 했다. 중국 창신메모리(CXMT)는 이달 중국 증시 사상 최대규모로 기업공개(IPO)를 실시(조달 목표 295억 위안·약 6조5000억원), 올 하반기 상하이에 신규 공장을 건설할 계획이다. 대만 TSMC는 대미 투자액을 기존 1000억달러에서 1650억 달러로 확대해 미국에 웨이퍼 공장 6곳과 패키징 공장 2곳, 연구개발(R&D) 센터 1곳을 짓겠다고 밝힌 상태다.

ehcho@fnnews.com 조은효 기자