현대전자，메모리사업 다각화 본격추진

현대전자가 D램 위주의 메모리반도체 사업구조에서 탈피,S램과 플래시메모리 등 이동통신단말기용 메모리 사업 강화에 나섰다．
현대전자는 20일 ‘반도체 미래 사업전략’에 관한 기자간담회를 통해 모바일과 인더스트리분야 Slow S램 시장에서 세계 2위를 차지하고 향후 모바일과 네트워크장비(싱크로너스 D램)분야에 집중,이 분야 세계 1위를 달성할 계획이라고 밝혔다．
이를 위해 현대전자는 현재 0.25㎛급의 S램 라인을 내년에는 0.18㎛, 2002년에는 0.15㎛급으로 업그레이드하고,노키아·모토롤라·에릭슨 등 세계적 모발일 업체와의 안정적 공급계약을 계속 유지해나갈 방침이다．또 지속적인 Die Size Shrink(웨이퍼 1장당 반도체 제품 증대 작업) 및 통신장비 탑재용 싱크로너스 D램 개발 등으로 S램 사업다각화를 추진할 계획이다．
S램 사업부문장인 현일선상무는 “현재 청주공장에서 8인치 웨이퍼 기준 월 2만5000장의 S램을 생산한다”며 ”S램의 경우 유휴 D램 Fab시설 이용이 가능하기 때문에 지난해 반도체 빅딜로 발생한 D램 유휴 캐퍼를 적극 활용,경제적으로 사업을 하게 된다”고 말했다．
현대전자는 플래시메모리의 경우 올해 예상 매출 1억4500만달러에서 2001년 6억달러, 2003년에는 14억달러로 크게 증가시킨다는 전략이다．이를 위해 지난달부터 0.25㎛급 16메가 제품을 양산하고 있으며 기존 D램과 S램 설비를 이용해 2003년부터는 0.18㎛급 256메가 제품 양산체제에 들어간다는 전략이다．

이 회사는 지난해 매출액의 90%에 달했던 D램 비중을 향후 80%이하로 줄여나가면서 S램(6∼7%),플래시메모리(2∼3%)과 시스템IC(6∼8%)의 비중을 점차 늘려나가게 된다．회사 관계자는 “S램에 이어 현재 개발 및 양산체제에 있는 저전력 플래시 메모리의 출시에 따라 S램과 플래시 메모리 제품군을 잇는 이동통신시장의 메모리 솔루션 분야에 본격적인 시너지 효과가 예상된다”고 말했다．

/ [e-mail] 김수헌기자