하이닉스반도체는 최근 일본 교토에서 열린 국제반도체학술대회인 ‘SOVT·SOVC 2001’에서 초고집적 반도체 기술의 설계·소자·공정기술 분야에서 최신 흐름을 반영한 논문 6편을 발표했다고 26일 밝혔다．이번에 발표된 설계분야 논문은 ▲고집적 D램 제품 개발비용의 절감을 위한 새로운 설계회로 ▲차세대 반도체 제품인 강유전체 메모리(FeRAM)의 신뢰성 확보를 위한 고집적화 기술에 관한 것이다．공정분야는 ▲고집적 D램 소자의 데이터보유시간 개선방법 ▲반도체 소자의 전기적 특성,신뢰성 개선과 관련한 새로운 증착방식 도입이며 소자분야는 ▲기가급 D램셀의 접촉저항 개선방법 ▲기가급 D램 누설전류 특성 개선방법 등이다．
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