삼성전자, 3년간 美반도체공장에 5억달러 투자

삼성전자가 미국 오스틴 반도체 공장(SAS)에 오는 2005년까지 3년간 5억달러를 투자한다.

삼성전자는 지난 3일(한국시간) 미국 텍사스주 오스틴 현지에서 조지 부시 전 대통령과 이윤우 반도체총괄 사장 등 200여명이 참석한 가운데 투자기념식을 갖고 이같은 내용을 골자로 한 ‘나노테크 3개년 투자계획’을 발표했다.

삼성전자는 1단계로 올 하반기 1억2700만달러를 투자, 현재 0.13㎛(미크론은 10억분의 1m)에서 0.11㎛의 생산공정으로 업그레이드할 예정이며 오는 2005년까지 나노공정을 도입하고 웨이퍼 생산량도 현재 월 3만장에서 4만5000장으로 늘릴 방침이다.

나노공정을 도입하면 웨이퍼당 칩 수를 기존 공정대비 40%가 증가, 획기적인 원가절감 효과를 거둘 수 있으며 고성능 서버 및 워크스테이션에 장착하는 1기가 D램 제품 등 최고급 제품을 생산할 수 있는 능력도 갖추게 된다.

/ [e-mail] 윤경현기자