삼성전자가 세계 최초로 90나노 공정을 적용해 모바일 D램 제품을 양산한다.
10일 삼성전자는 지난 6월 90나노(10억분의 1m) 공정에서 그래픽 DDR3 D램을 양산한 지 4개월 만에 90나노 공정에서 512Mb 모바일 D램 생산에 돌입했다고 밝혔다.
이에 따라 삼성전자는 D램 전제품에 90나노 공정을 적용, 나노급 D램 양산 기술에서는 세계 최고임을 다시 한번 입증한 셈이다.
삼성전자에 이어 D램 시장에서 2위 그룹을 형성하고 있는 하이닉스반도체, 마이크론, 인피니온 등은 110∼100나노 공정에서 제품을 생산하고 있는 것으로 알려졌다.
90나노 공정에서 D램을 생산하면 110나노 대비 생산성이 40%가량 향상돼 삼성전자는 그만큼 원가경쟁력이 높아지는 효과가 있다.
미세공정일수록 회로선폭이 좁아져 한장의 웨이퍼에서도 그만큼 더 많은 반도체를 생산할 수 있기 때문이다.
특히 삼성전자는 휴대폰의 메인 메모리로 사용되는 모바일 D램이 최근 휴대용 게임기, 디지털카메라 등의 사용 확대로 시장이 급팽창하고 있어 시장지배력을 한층 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자가 이번에 양산하는 90나노 512Mb 모바일 D램은 지난 1월 개발된 제품으로 업계 최고속도인 1.3GByte/s를 자랑한다.
빠르게 보편화되고 있는 휴대폰의 고화질 3차원 그래픽과 500만화소 이상 디지털카메라의 화상 구현을 위해서는 1GByte/s 이상의 데이터 처리속도와 512Mb 이상의 대용량이 필수적이다.
시장조사기관인 데이터퀘스트에 따르면 모바일 D램의 최대 수요처인 고성능 3세대 휴대폰 시장은 오는 2010년까지 연평균 31.5% 성장하고 휴대폰용 D램 시장은 연평균 125%의 폭발적 성장률을 보일 것으로 예상되고 있다.
삼성전자 관계자는 “일반 D램 대비 높은 가격경쟁력을 갖는 그래픽 D램, 모바일 D램 등 차세대 반도체 시장 선점을 통해 경쟁사와 차별화된 수익구조를 형성, 메모리 반도체 세계 1위 위치를 더욱 강화해 나갈 것”이라고 말했다.
/ mirror@fnnews.com 김규성기자
※ 저작권자 ⓒ 파이낸셜뉴스. 무단 전재-재배포 금지
※ 저작권자 ⓒ 파이낸셜뉴스, 무단전재-재배포 금지