삼성전자가 경기도 화성에 들어서는 신규 메모리 생산라인인 15라인 건설에 6369억원을 투자한다고 21일 밝혔다.
15라인은 내년 하반기 가동 예정이며 낸드플래시메모리와 D램을 생산하게 된다.
6369억원은 반도체 장비를 제외한 메모리 신규 라인의 건물 설립에 투입된다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자 관계자는 “메모리 수요 증가에 대비, 이미 계획된 투자를 집행하는 것”이라며 “투자 재원은 자기 자본으로 조달하게 된다”고 말했다.
15라인이 완공될 경우, 삼성전자는 기존 12, 13, 14라인을 포함해 총 4개의 12인치 웨이퍼 메모리 라인을 확보하게 된다.
삼성전자는 내년 중 9라인을 낸드 플래시 전용 라인으로 탈바꿈시킬 계획이며 낸드 수요에 적기에 대응하기 위해 15라인 건설 일정을 최대할 앞당길 방침이라고 밝힌 바 있다.
/김규성기자
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