산업 대기업

2008년 양산…시장점유율 40%

양형욱 기자

파이낸셜뉴스

입력 2006.10.19 17:30

수정 2014.11.05 07:27



삼성전자가 반도체기술의 한계점으로 여겨지던 ‘50나노(머리카락굵기 2000분의 1) 1G D램시대’를 열어 ‘반도체 강국’의 위상을 다시 한번 드높였다.

삼성전자는 지난 9월 40나노 32G 낸드플래시메모리를 세계 최초로 선보인지 불과 한달여 만에 또 다시 반도체 역사를 새로 썼다.

또 삼성전자는 지난 2000년 150나노 기술을 시작으로 2001년 130나노, 2002년 100나노와 90나노, 2004년 80나노, 2005년 60나노, 2006년 50나노 등 7세대 연속 D램 미세공정 첫 개발이라는 신기록을 세워 의미를 더해주고 있다.

50나노 1G D램은 올해부터 ‘제 2 중흥기’로 접어든 D램시장에서 삼성전자의 시장경쟁력과 독보적 수익성을 배가시키는 ‘핵폭탄’급 신제품으로 평가되고 있다.

또 50나노 1G D램은 오는 2008년 시장에 선보여 오는 2010년까지 55조원의 시장을 형성하는 신성장동력으로 여겨지고 있다.

삼성전자는 올해 반도체 단일 제품으로 사상 처음으로 100억달러 매출을 돌파하고 오는 2008년부터는 50나노 D램을 앞세워 40%이상의 시장점유율을 기록한다는 구상이다.


■‘D램 제 2호황기’ 주도권 확보

세계 최초 50나노 1기가 D램 개발은 ‘제 2 호황기’로 접어든 D램시장에서 삼성전자가 주도권을 거머쥐는 ‘신무기’로 활용할 수 있다는 점에서 주목을 끌고 있다.

D램시장은 ‘윈도 비스타’의 출시로 PC시장에서 고용량 D램의 수요가 늘어나고 있는데다 휴대폰, 게임, 내비게이션 등 수요처가 늘어 10여년만에 ‘슈퍼호황기’를 맞고 있는 상황이다.

올해 300억달러가량인 D램시장은 2007년에 350억달러로 성장한 뒤 2010년까지 연간 10% 이상의 성장을 거듭할 전망이다.

이런 시점에서 삼성전자가 50나노 1G D램을 발빠르게 선보인 것은 경쟁사의 추격의지를 꺾는 효과를 거두게 됐다. 아울러 삼성전자는 지속적인 기술리더십으로 독보적인 수익성을 확보하게 됐다.

이미 삼성전자는 경쟁사보다 한발 앞서 선보인 80나노 D램으로 지속적인 수익을 거두고 있다. 이어 삼성전자는 내년 1·4분기에 60나노 D램까지 출시해 경쟁사와 1년 이상의 격차를 유지한다는 전략이다. 여세를 몰아 삼성전자는 오는 2008년 1·4분기에 50나노 D램까지 출시해 경쟁사와의 격차를 한층 벌린다는 야심이다.

삼성전자 반도체총괄 조남용 부사장은 “앞으로 수년간 D램 산업이 사상 최고의 호황기를 구가할 전망인 가운데 삼성전자가 세계 최초로 50나노 1기가 D램 개발에 성공함으로써 독보적인 D램시장 주도권을 확보하게 됐다”고 말했다.

■550억달러의 시장 창출

50나노 D램의 경제적 효과는 천문학적이다. 삼성전자는 50나노 D램이 오는 2008년 출시되면 첫해 50억달러의 시장을 창출할 것으로 분석했다.

이어 50나노 D램은 매년 두자릿수 성장을 거듭해 오는 2011년에는 무려 550억달러에 달하는 거대 시장을 형설할 것으로 전망했다.

이는 50나노 D램이 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 앞세워 다양한 멀티미디어기기에 적용돼 신규 시장을 창출할 수 있기 때문이다.

이런 50나노 D램이 적용될 기기로 대용량 PC향 D램과 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력 대용량이 필수인 모바일 D램 등이 대표적이다. 삼성전자는 내년부터 매년 D램시장에서 40% 이상을 점유한다는 구상이다.

■어떤 기술과 물질 적용됐나

50나노 D램은 삼성전자만의 독자적인 신기술과 신물질만을 사용해 한계를 뛰어넘었다는 점에서도 돋보인다.

삼성전자는 50나노 D램에 ‘RCAT’(Recess Channel Array Transistor)와 ‘SEG’(Selective Epitaxial Growth)란 신기술을 적용했다.

‘RCAT’기술은 D램 셀의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작하는 방식이다. 지난 2003년 6월 VLSI학회에서 최우수 논문으로 선정된 삼성전자의 독자 기술이기도 하다.

‘SEG’ 기술은 전하가 이동하는 통로인 전하 이동면적을 최대한 확대, 저항을 감소시키는 게 특징이다. 이 기술은 지난 2001년 처음 개발됐고 50나노 D램 공정에 처음 적용됐다.


이번 50나노 1기가 D램에는 ‘복합유전층’이란 신물질도 사용됐다. ‘복합 유전층’은 전하가 저장되는 유전막질에 신소재(ZrO2/Al2O3/ZrO2)를 채용, 전하 저장능력을 높이는 역할을 했다.


이미 삼성전자는 50나노 1기가D램 개발과 관련된 총 51건의 기술을 국내외에 특허 출원했다.

/hwyang@fnnews.com 양형욱기자

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