삼성전자 ‘50나노 D램’ 시대 열었다

삼성전자는 세계 최초로 50나노 1기가(G) DDR2 D램 메모리 반도체를 개발, 오는 2008년 1·4분기부터 양산에 들어간다고 19일 밝혔다.

이로써 삼성전자는 지난 2000년 150나노 기술을 시작으로 올해 50나노 기술까지 7세대 연속 세계 최초 D램 신공정을 개발하는 쾌거를 올렸다.

삼성전자가 개발한 50나노 공정 기술은 현재 D램 양산에 적용중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 미세공정 기술이다.

특히 50나노 기술은 종전 80나노 기술에 비해 생산성이 2배나 뛰어나다는 평가다. 아울러 삼성전자가 지난해 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서도 생산성이 55%나 높다.

50나노 기술은 또 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 PC용 D램과 게임용 D램, 모바일 D램 등 다양한 고용량 D램에 널리 적용될 수 있다.

삼성전자는 50나노의 한계를 뛰어넘기 위해 'RCAT'와 'SEG'라는 3차원 입체 트랜지스터 구조 신기술과 '복합 유전층'이라는 신물질을 세계 처음으로 사용했다. 지금껏 국내외 D램기업들은 낸드플래시메모리보다 구조가 복잡한 D램을 50나노 이하 공정으로 만들기 위해 힘써왔으나 뚜렷한 성과를 거두지 못했었다.

삼성전자는 이번 50나노 D램 개발에 적용된 신규 공정기술, 제품 개발 노하우, 디자인 기술 등 총 51건의 특허를 국내외에 출원한 상태다.

삼성전자는 50나노 기술을 적용한 D램이 출시 첫해인 오는 2008년 50억달러를 시작으로 오는 2011년까지 4년간 550억달러의 시장을 형성할 것으로 내다봤다.

삼성전자 조남용 부사장은 "50나노 1G D램을 세계 최초로 개발해 경쟁사와의 격차를 1년 이상 확대하면서 18년 연속 기술 리더십을 지속하게 됐다"고 말했다.

/[e-mail] 양형욱기자