오스틴 제 2라인은 약 4만3000평 규모로, 지난 1997년부터 가동하고 있는 기존 200㎜(8인치) 라인에 이은 삼성전자의 미국내 두번째 반도체 생산시설이다. 삼성전자가 해외에 300㎜ 반도체 생산라인을 건설하기는 이번이 처음이다.
삼성전자는 오스틴 공장의 기존 200㎜ 1라인은 D램 생산에 주력하고, 이번 신규 300㎜ 라인에서는 50나노급 이하의 낸드플래시 등 차세대 메모리를 생산한다.
삼성전자는 제 2라인에서 하반기부터 50나노 16기가 낸드플래시 양산할 계획이다.
삼성전자는 제 2라인에 내년까지 총 35억달러를 투자할 계획이다. 생산규모는 초기 월 2만장에서 점차 늘려나갈 방침이다.
또 세계 최대 반도체단지인 국내 기흥-화성단지는 최첨단 반도체 생산 메카로, 오스틴 단지는 미주를 겨냥한 전략생산 거점으로, 중국 쑤저우 단지는 조립·패키지 거점으로 각각 육성한다는 구상이다.
삼성전자 윤종용 부회장은 기념사를 통해 “오스틴 300㎜ 라인 건설로 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급원을 확보하게 됐고 거래선과의 신뢰 및 우호관계를 한층 강화할 수 있게 됐다”고 말했다.
한편, 이날 준공식에는 윤종용 부회장과 반도체총괄 황창규 사장 등 삼성전자 주요 경영진을 비롯해 릭 페리 미국 텍사스 주지사, 윌 윈 오스틴 시장 등 양국의 주요 인사가 참석했다.
/hwyang@fnnews.com양형욱기자
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