(인)자기조립 단분자막 소자 스위칭 현상 규명

<사진은 정과부 화상에>

한국전자통신연구원(ETRI)은 분자메모리소자팀 이효영 박사팀(44)이 자기조립 단분자 소자의 스위칭 현상을 규명했다고 10일 밝혔다. 이 연구결과는 차세대 핵심기술로 주목받고 있는 분자메모리 소재 및 소자 개발에 큰 기여를 할 것으로 기대를 모으고 있다.

이 박사팀은 고진공 주사형 터널링 현미경(STM)을 이용해 유기금속 단일분자의 전류 스위칭 시작 메커니즘을 밝혀냈다.

유기분자의 스위칭 및 메모리 특성은 그동안 액체상태에서 간접적인 방법으로 측정돼 왔으나 이를 분자메모리 소자에 적용하기 위해서는 고체상태에서 스위칭 현상을 밝혀내는 것이 꼭 필요하다.

이 박사는 “이 연구결과는 고체상 소자에 직접 적용할 수 있는 기술로서 향후 분자메모리 소재 및 소자 개발에 큰 기여를 할 것으로 기대된다”며 “현재 이를 이용한 비활성 분자메모리 소자 제작에 박차를 가하고 있다”고 말했다.

이번 연구결과는 최근 화학분야 권위지 ‘미국화학회저널’에 게재됐다.

/[e-mail]이재원기자