더 강해진 삼성전자 ‘퓨전 반도체’

삼성전자가 차세대 ‘황금시장’인 ‘퓨전 반도체’에서의 독주체제 강화로 불황 돌파를 시도하고 있다.

삼성전자는 통상 머리카락 굵기의 3000분의 1 크기인 40나노(㎚)급 공정을 적용한 ‘8기가비트(Gb) 플렉스 원낸드(Flex-OneNAND)’를 세계 최초로 개발했다고 10일 밝혔다.

삼성전자는 이달부터 40㎚급 공정을 적용한 ‘8Gb 플렉스 원낸드’를 본격 양산한다.

‘플렉스 원낸드’는 초고속 싱글레벨셀(SLC) 낸드와 Gb급 고용량 멀티레벨셀(MLC) 낸드의 특성을 통합시킨 차세대 퓨전 반도체이다. 쉽게 말해 초고속 특성과 고용량 특성을 하나로 구현한 차세대 반도체.

앞서 삼성전자는 지난 2007년 60㎚급 ‘4Gb 플렉스 원낸드’ 제품을 세계 최초로 개발, 퓨전 반도체시장을 주도하기 시작했다.

이번에 개발된 ‘8Gb 플렉스 원낸드’는 퓨전 메모리 제품 최초로 40㎚ 공정을 적용해 경쟁력을 극대화한 게 특징이다.

이 제품은 종전 60㎚급 ‘4Gb 플렉스 원낸드’ 대비 생산성을 약 2.8배 향상시켰다는 게 삼성측 설명이다. 이 뿐 아니라 이 제품은 일반 낸드플래시 제품에 대비 4배 이상 고속의 읽기 성능도 구현한다.

동시에 대용량·고성능·저소비전력 등 고효율성까지 갖춰 고성능 휴대폰에 적합한 솔루션으로 평가받고 있다.

삼성전자는 이번 ‘8Gb 플렉스 원낸드’ 개발로 경쟁사와 2∼3년의 격차를 벌리면서 퓨전 반도체시장의 주도권을 지속적으로 가져가게 됐다.

여세를 몰아 삼성전자는 ‘8Gb 플렉스 원내드’의 응용분야를 고성능 휴대폰를 비롯해 초고화질 디지털 TV, 콘텐츠 TV, 디지털 액자, 디지털카메라 등으로 대폭 확대해 나간다는 전략도 세웠다.

같은 맥락에서 삼성전자는 올해 ‘플렉스 원낸드’에 이어 일반 ‘원낸드’ 제품도 40㎚급 공정으로 1Gb, 2Gb, 4Gb 제품을 대량 양산할 예정이다.

이를 통해 삼성전자는 경쟁사 대비 1∼2세대 앞선 ‘원낸드’ 경쟁력 우위를 지속적으로 지켜간다는 구상이다.

삼성전자 관계자는 “차별화 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정”이라며 “이를 기반으로 퓨전반도체의 사업화 역량을 강화하면서 고객 중심의 메모리반도체사업을 펼쳐나가겠다”고 전했다.

한편, 아이서플라이 자료에 따르면 낸드플래시 메모리 반도체시장은 지난 2007년 139억달러, 2008년 118억달러, 2009년 89억달러, 2010년 97억달러, 2011년 124억달러, 2012년 148억달러 등으로 전망된다.

/hwyang@fnnews.com양형욱기자

■용어설명/＊MLC=멀티 레벨 셀(Multi-level Cell, 약어 MLC)이란 멀티플 레벨(multiple level)을 활용해 한 셀 당 1 비트 이상의 정보를 저장하는 메모리 반도체 기술.

＊SLC=싱글 레벨 셀(Single-level Cell, 약어 SLC) 반도체는 1개의 비트 밖에 저장할 수 없지만, 대신 데이터 처리속도가 빠른 기술.