트랜지스터ㆍ유기메모리 결합 소자 개발

국내 연구진이 트랜지스터와 유기 메모리를 결합한 ‘1T-1R’소자를 제조할 수 있는 기술을 개발했다.

교육과학기술부는 광주과학기술원 신소재공학과 이탁희 교수팀이 실리콘 기판 위 트랜지스터 전극에 유기 물질을 스핀 코팅하는 방법으로 유기 메모리 소자의저항 상태에 따른 ‘1T-1R 소자’의 전기 및 소자 특성 연구에 성공했다고 24일 밝혔다.

이번 연구는 세계적인 재료공학분야 국제학술지인 ‘어드밴스드 머티리얼스’ 26일자에 게재된다.

유기 소재를 이용한 메모리 소자 연구는 가격이 저렴하고 구조가 간단한 것이 특징이다.

또 특성도 우수해 차세대 반도체 메모리 소자기술로 주목받고 있다.

반면 기존 비휘발성 유기 메모리 소자 연구는 대부분 단위소자 또는 크로스 형(cross-point) 소자 연구로 집적화된 메모리 소자 제작에 어려움을 겪었다.

이 교수는 “이번 연구는 유기 소재를 이용한 메모리 소자 제작 및 고집적 유기 메모리 소자를 구현하는데 필요한 1T-1R 소자를 제작한 것에 의미를 두고 싶다”며 “차세대 고집적 유기 반도체 소자기술을 제조할 수 있는 기초를 다졌다”고 설명했다.

/[e-mail]이재원기자

<용어설명>
■1T-1R=트랜지스터(Transistor)와 비휘발성 유기 메모리(Resistor)을 결합한 형태의 전자소자