삼성전자는 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)3 D램을 개발했다고 1일 밝혔다.
삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것.
삼성전자는 올해 하반기부터 30나노 2Gb DDR3 D램을 본격적으로 양산할 예정이다.
D램의 셀 구조상 현재의 생산공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔으나 삼성전자는 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 이 한계를 극복하는 개가를 올렸다. 30나노급 공정 개발로 경쟁사와 격차를 더욱 벌리게 된 것.
또한, 삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸렸는데 비해, 30나노급 공정을 1년 만에 개발해 내면서 기술 개발의 의미를 더했다.
삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난달 중순 시험 평가까지 완료했다.
30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50∼60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.
아울러 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있다. 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.
예를 들어, 노트북에 30나노급 4기가바이트(GB) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3와트(W) 정도로 가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과하다. 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다.
무엇보다 삼성전자는 30나노급 2Gb DDR3 D램에 혁신적인 설계기술을 적용, 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현했다.
삼성전자는 서버솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작속도가 1.6기가비피에스(Gbps, 초당 1.6기가비트)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.
특히 PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 600메가비피에스(Mbps, 초당 600메가비트) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%나 빠르다.
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “삼성전자가 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌려 놓았다”며 “30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로 고객들과 윈윈관계를 강화시키는데도 기여할 것”이라고 전했다. /hwyang@fnnews.com양형욱기자
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