교육과학기술부는 광주과학기술원(GIST) 신소재공학과 정건영 교수팀이 LED의 활성층을 구성하는 필수물질인 인듐갈륨나이트라이드(InGaN)의 발광 효율을 최고 31% 증가시키는 기술 개발에 성공했다고 21일 밝혔다.
이번 연구 결과는 지난 9일 재료공학 분야의 국제 과학 저널인 ‘어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈’ 표지논문으로 게재됐다.
연구진은 산화아연 나노막대의 광도파로(빛이 지나가는 길) 현상을 이용해 기존의 LED에 비해 전기적인 특성은 저하되지 않으면서도 발광효율은 향상시켰다.
정 교수는 “산화아연(ZnO) 막대를 저온(90도)에서 LED 전극 구조에 영향을 주지 않고 성장시켜 InGaN 청색 LED의 발광 효율을 획기적으로 높였다”고 설명했다. 산화아연이 빛이 지나가는 관 역할을 하면서 궁극적으로 LED구조의 발광 효율을 증가시켰다는 것이다.
연구진은 이번 연구를 바탕으로 대면적 적용을 위한 리소그라피법을 이용, 산화아연 로드의 수직 정렬연구 등 나노 기술과의 융합 연구에 나설 계획이다.
정 교수는 “이번 연구성과와 나노 기술이 융합하면 2015년 1100억달러에 이를 것으로 예상되는 세계 LED 조명시장에서 우리나라가 우위를 점할 수 있을 것”이라고 기대했다.
/talk@fnnews.com 조성진기자
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