삼성전자, 30나노급 이하 공정 확대(4보)

삼성전자가 반도체 부분에서 올해 30나노 이하급의 공정을 확대해 원가경쟁력 확보에 나선다고 28일 밝혔다.

삼성전자는 반도체 D램에서 저전력·그린 제품 등 차별화를 강화하는 동시에 올해 30나노 이하급 공정 비중을 확대해 원가경쟁력을 확보할 예정이다. 또 낸드플래시는 20나노급 공정 비중을 확대해 원가 경쟁력을 강화한다.

한편 시스템LSI의 경우 모바일 수요 강세에 따라 AP, CMOS Image Sensor 등 주력 제품은 견조한 성장세를 지속할 것으로 삼성전자는 전망했다.

/[email protected] 예병정기자