하이닉스 차세대 DDR4 D램 개발

하이닉스반도체가 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(�) 차세대 더블데이터레이트4(DDR4) D램을 개발했다고 4일 밝혔다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2볼트 저전압에서 업계 최초로 2400�의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 더블데이터레이트3(DDR3) 1333� 제품 대비 처리속도가 80%가량 향상됐다. 2400�의 데이터 전송속도는 디지털비디오디스크(DVD)급 영화 4∼5편에 해당되는 19.2�의 데이터를 1초에 처리할 수 있다. 또 D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용, 1.5볼트 DDR3 대비 50%가량 전력소모가 줄어들었다.

하이닉스반도체는 차세대 공정을 적용한 세계 최고수준의 DDR4 D램을 오는 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.

하이닉스반도체는 이번에 DDR4 D램을 이용한 2� ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발을 완료했다. ECC-SODIMM은 ECC(메모리 데이터 전송 시 일시적으로 발생할 수 있는 오류에 대한 감지 및 수정) 기능을 위해 별도의 D램 칩을 장착한 모듈로 초소형 서버 등에 사용된다.

업계 선두 수준의 DDR4 제품 개발을 통해 하이닉스반도체는 차세대 D램 기술을 확보하고 ECC-SODIMM으로 제품 성능을 확인함으로써 앞으로 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.

하이닉스 마케팅본부장인 김지범 전무는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경·저전력·고성능 특성을 모두 만족시켰다”며 “이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것” 이라고 말했다. 한편, 아이서플라이는 DDR4 D램 비중이 오는 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘어 시장의 주력제품이 될 것으로 예상하고 있다.

/[email protected]예병정기자