서울시립대는 공과대학 전자전기컴퓨터공학부 남효현 학생(사진)이 쓴 논문이 반도체 소자 분야 세계적 저널인 'IEEE Electron Device Letters (EDL)'지에 최종 게재 승인을 받았다고 20일 밝혔다.
오는 4월 출판 예정인 논문은 '강유전체·금속게이트(High-k/Metal-Gate) 기술을 이용한 22nm 및 20nm 이하급 반도체 소자의 게이트 전극 내의 일함수(work-function) 특성화를 위한 새로운 파라미터 제안 및 연구'를 주제로 했다.
남씨는 논문에서 향후 금속게이트 재료 개발의 로드맵이 될 새로운 파라미터를 세계 최초로 제안하였다. 신기술은 트랜지스터 게이트 전극에 사용되는 특정 재료에 국한되지 않고 현재 반도체 소자에 사용 중인 다양한 게이트 전극 재료에 범용으로 활용 가능하다.
남씨는 지난해 1학기 반도체 소자 강의를 통해 기초적인 반도체 물리 및 소자 지식을 배운 뒤 여름방학부터 소속학과 신창환 교수팀(반도체 소자 및 회로 연구실)에서 학부연구생으로 활동했다.
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