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성균관대,전자소자 냉각 성능 강화 열계면물질 개발

김병덕 기자

파이낸셜뉴스

입력 2016.06.13 14:02

수정 2016.06.13 14:02

성균관대,전자소자 냉각 성능 강화 열계면물질 개발

성균관대 백승현 기계공학부 교수팀과 김덕종 한국기계연구원 책임연구원 팀은 13일 높은 열전도도를 가지는 열계면물질을 개발했다고 밝혔다.

스마트폰, 태블릿 PC 등 전자기기가 소형화되고 전자소자들이 집적화 됨에 따라 전자소자의 성능 및 신뢰성을 극대화하기 위한 전자소자 냉각이 큰 이슈가 되고 있다. 열계면물질은 열을 발생시키는 소자와 열을 외부로 방출하는 히트싱크 사이에 적용돼 소자가 효과적으로 냉각되도록 하는 역할을 한다.

탄소나노튜브는 높은 열전도도로 많은 관심을 받아왔다. 하지만 각각의 나노튜브의 높은 열전도도가 폴리머와 혼합되면 전체 복합재료에서 구현이 잘 안되는 어려움이 있었다.
연구진은 탄소나노튜브를 은나노입자로 기능화하고 이를 실버-에폭시에 소량 첨가하여 160 W/mK의 높은 열전도도를 달성했다.
또 컴퓨터 CPU와 히트싱크 사이에 적용하여 효과적으로 전자소자를 냉각시키는데 사용될 수 있음을 확인했다.


이번 연구 결과는 재료과학 분야 국제학술지 '어드밴스드 머티리얼즈 (Advanced Materials)'온라인판에 최근 발표됐다.

cynical73@fnnews.com 김병덕 기자

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