삼성전자 ‘속도·용량 2배’ D램 양산

10나노급 16Gb GDDR6 전력 효율 35% 이상 향상

삼성전자가 세계 최초로 10나노급 '16기가비트(Gb) GDDR6 D램'을 양산한다.

18일 반도체 업계에 따르면 2014년 12월 세계 최초로 8Gbps의 '20나노 8Gb GDDR5 D램' 양산을 시작한 삼성전자가 이번에 속도와 용량을 2배 이상 높인 18Gbps의 '10나노급 16Gb GDDR6 D램'을 지난달부터 양산하고 있다.

이번 10나노급(1x) 그래픽 D램 양산을 통해 삼성전자는 PC, 서버, 모바일용 D램에 이어 그래픽 D램까지 10나노급 공정을 적용했다.

삼성전자의 '10나노급 16Gb GDDR6 D램'은 '초고속, 고용량, 초소형, 초절전' 목표를 동시에 구현했다. 이 제품은 GDDR5 D램 대비 2배 빠른 속도와 저전력 설계(1.35V)로 전력효율이 35% 이상 향상됐고, 20나노 공정 대비 칩 크기가 줄어 생산성은 약 30% 증가됐다.

이번 크기와 소비전력을 대폭 줄인 대용량의 차세대 그래픽 카드와 인공지능(AI), 가상현실, 8K UHD 초고화질 영상과 같은 차세대 시스템 제품에 쓰일 전망이다.

km@fnnews.com 김경민 기자