(서울=뉴스1) 주성호 기자 = 세계 2위 메모리 제조사인 SK하이닉스가 차세대 D램 개발에 EUV(극자외선) 공정을 도입하기 위해 국내외 기술 전문가 모집에 나섰다.
SK하이닉스는 이르면 내년 상반기부터 '4세대(1a) 10나노급' D램 생산에 EUV 공정을 적용할 것으로 예상된다.
18일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 채용 홈페이지를 통해 EUV 분야 경력직 공개채용을 진행하고 있다. 채용 직무는 공정 연구개발(R&D) 분야로 물리·전기전자·신소재 등 유관 학사 전공으로 5년 이상 경력이 있으면 지원이 가능하다.
SK하이닉스는 주요 수행 업무로 EUV 스캐너 장비와 패터닝(patterning) 공정 개발 등을 제시했다. 아울러 고품질 생산성을 위한 공정 요소기술 개발 등도 핵심 직무로 소개했다.
그간 SK하이닉스는 신입 공채 외에 수시로 필요할 때마다 설계, 개발, 기획 등 각종 분야에서 경력 채용을 진행해왔다. 특히 EUV 분야에서 경력 채용 공고를 낸 것은 올들어서는 처음이다.
극자외선(Extreme Ultra Violet)의 줄임말인 EUV는 반도체 원재료인 실리콘 웨이퍼에 회로를 그려넣는 '노광' 공정에 활용되는 기술이다.
반도체 공정이 갈수록 미세화되는 가운데, EUV는 기존에 노광에 쓰이던 불화아르곤(ArF) 광원에 비해 14분의 1 미만으로 파장의 길이가 짧아서 얇고 세밀한 회로 패턴을 구현할 수 있는 것이 특징이다.
현재까지 반도체 업계에서 EUV 노광 기술은 7나노 이하의 파운드리(위탁생산) 분야에서 TSMC와 삼성전자 등 2개 업체에 의해서만 활용돼왔다.
하지만 최근 세계 1위 메모리 업체인 삼성전자가 업계 최초로 D램 생산에 EUV 공정을 적용하며 메모리 업계에도 EUV 공정 도입에 속도가 붙었다는 평가다.
SK하이닉스도 올초부터 사내 미래기술원 산하에 EUV 태스크포스(TF) 팀을 만들고 운영중인 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 지난해 10월 실적발표를 통해서도 "4세대(1a) 10나노 D램 양산은 2021년초를 목표로 개발 중"이라며 "1a 공정에서 최초로 EUV 장비가 양산에 적용될 예정"이라고 공식적으로 밝힌 바 있다.
SK하이닉스는 이르면 올 연말부터 본격 가동되는 이천 M16 팹에 EUV 장비를 도입하고 생산 준비에 나설 것으로 예상된다.
이에 앞서 SK하이닉스는 올초 EUV 공정에 사용되는 포토레지스트(감광액) 개발 전문 스타트업 '인프리아'의 투자 유치에 삼성, TSMC 등과 함께 참가한 바 있다.
한편 SK하이닉스는 지난 14일부터 시작된 SK그룹의 하반기 대졸 신입사원 공채를 통해 Δ설계 Δ공정 R&D Δ양산기술 등의 분야에서 인재를 뽑을 예정이다. 내년 1월 입사 예정인 신입사원들은 경기 이천과 분당 충북 청주 등의 사업장에서 근무할 것으로 예상된다.
※ 저작권자 ⓒ 뉴스1코리아, 무단전재-재배포 금지