국일그래핀, ‘그래핀 기반의 TFT 제조방법’ 특허 등록 결정

[파이낸셜뉴스] 특수지 전문기업 국일제지의 자회사 국일그래핀 윤순길 이사가 최근 전 세계에서 가장 우수한 N-doped graphene TFT(질소-도핑된 그래핀 박막 트랜지스터)의 특성을 확보했다고 2일 밝혔다. 이 기술은 티타늄층 위에 직접적으로 성장된 후 질소로 도핑된 그래핀을 활성층으로 만들어 고품질, 고기능성 그래핀으로 생산할 수 있다. 이 기술에 대한 해외특허를 위해 국제특허 출원 및 국내특허 등록을 추진한다. 이번 특허는 국일그래핀에서 진행하고 있는 무전사 비전사식 방식에서 도출한 것이다. 그래핀을 아르곤 플라즈마로 30초 동안 데미지를 주어 그래핀의 카본 체인을 끊는다. 이후 끊어진 카본 자리에 N2 plasma로 30초 동안 질소를 치환하여 도핑 및 성장을 연속적으로 수행하는 방식이다.

이 방식으로 생성된 N-doped graphene TFT는 가장 우수한 반도체 특성을 이끌어 낼 수 있다는 것이 특허의 핵심이다.

회사관계자는 “N-doped graphene TFT는 모두 100℃ 에서 작업돼 유연한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)와 PDMS(폴리디멜틸실론산) 등 플렉시블 기판 위에 형성된다”며 “이 작업으로 그래핀의 유연성(flexibility)이 15% 증가하고 팽창률(stretchability)은 140%까지 확보가능한 것이 중요 포인트”라고 설명했다.

이어 “이 기술은 그래핀을 반도체 뿐만 아니라 차세대 디스플레이에 크게 활용될 수 있고 나아가 신축성과 유연성이 필요한 모든 반도체 분야에 널리 활용 가능하다”고 덧붙였다.

한편 국일그래핀 현재 심사 중에 있는 미국특허 Transfer-Free Method for Producing Graphene Thin Film에 대한 특허 재등록도 이어간다.

회사관계자는 “지난달 22일 미국특허청에서 심사가 반려(Non-Final Rejection)돼 기술에 대한 설명 등을 서류를 보완해 재심사청구를 진행할 계획”이라며 “특허에 대해 확인되지 않은 루머 등을 자제 부탁드린다”고 말했다.

[e-mail] 김경아 기자