KAIST '테라바이트급 메모리' 개발

국내 연구진이 테라바이트(TB=1024GB) 수준의 저장 용량을 제공하면서도 휘발성 메모리(D램)과 유사한 데이터 처리 속도를 가진 메모리를 개발했다. 연구진이 개발한 이 기술은 비휘발성 메모리(NVDIMM)와 초저지연 반도체 저장장치(SSD)가 하나의 메모리로 통합돼, 소수의 글로벌 기업만이 주도하고 있는 미래 영구 메모리보다 성능과 용량이 대폭 향상됐다.

한국과학기술원(KAIST)은 전기및전자공학부 정명수 교수팀이 NVDIMM와 SSD를 하나로 통합한 메모리-오버-스토리지(MoS) 기술 개발에 성공했다고 16일 밝혔다.

연구진이 개발한 MoS 기술은 소프트웨어 기반 메모리 드라이브나 옵테인 영구 메모리 기술 대비 45% 절감된 에너지 소모량으로 110%의 데이터 읽기쓰기 속도 향상을 달성했다.

정명수 교수는 "대용량의 메모리가 필요하고 정전으로 인한 시스템 장애에 민감한 데이터 센터, 슈퍼컴퓨터 등에 사용되는 기존 메모리나 미래 영구 메모리를 대체할 수 있을 것"이라고 전망했다.

기존 NVDIMM의 경우 운영체제 도움 없이 중앙처리장치(CPU)가 직접 NVDIMM에 접근할 수 있다는 장점이 있다.

하지만 D램을 그대로 활용하고 배터리 크기를 무한히 키울 수 없어 대용량 데이터를 처리할 수 없다.

연구진이 제안한 MoS 기술은 초저지연 SSD를 주 메모리로, NVDIMM을 캐시메모리로 활용해 SSD의 대용량의 저장 공간을 사용자에게 메모리로 사용하게 해줌과 동시에 NVDIMM 단독 사용 시와 유사한 성능을 얻음으로써 미래 영구 메모리 기술들이 가지는 한계점들을 전면 개선했다.

[e-mail] 김만기 기자