SK실트론, '전력반도체 소재' GaN 웨이퍼시장 진출…英 IQE와 맞손

SK실트론이 英 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다. 오른쪽부터 장용호 SK실트론 대표이사 사장, 아메리코 레모스 IQE CEO. (SK실트론 제공)

(서울=뉴스1) 노우리 기자 = SK실트론은 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 본격적으로 진출한다고 11일 밝혔다.

SK실트론은 지난 6일 경북 구미 본사에서 글로벌 에피택셜(Epitaxial) 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 밝혔다.

첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 개발하는 IQE는 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 1위 업체다.

양사는 고객사 요구사항에 따라 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력할 계획이다.

GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만들어진다.

기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높은 특징을 가지고 있다.

급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5G 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용할 수 있어 수요가 급격히 늘어나고 있다.

SK실트론은 뛰어난 제조∙기술∙품질 경쟁력을 기반으로 글로벌 시장 3위인 실리콘 웨이퍼 사업과 함께 첨단 반도체 소재로의 사업 확장을 통해 미래성장동력을 지속 강화해나가고 있다.

장용호 SK실트론 사장은 “첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다”며 “IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다.

IQE의 최고경영자(CEO)인 아메리코 레모스는 “IQE의 GaN 웨이퍼 제조기술과 SK실트론의 Si∙SiC 웨이퍼 역량의 시너지를 통해 혁신적인 솔루션을 출시할 것”이라며 “첨단소재 분야에서 세계적으로 인정받는 선두기업과 협력하게 되어 기쁘다”고 했다.