이정배 삼성전자 사장 "D램·낸드 집적도 극한 수준으로 높일 것"

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장(삼성전자 제공)

(서울=뉴스1) 김민성 기자 = 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 "D램과 낸드플래시 집적도를 극한의 수준으로 높이겠다"고 밝혔다.

이 사장은 이날 삼성전자(005930) 뉴스룸 기고문에서 "D램은 3D 적층 구조, 신물질에 대해 연구개발하고 있고 V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이는 등 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 삼성전자의 강점을 고도화해 나갈 것"이라며 이같이 말했다.

이어 " V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 개발 중"이라고 덧붙였다.

이 사장은 HBM(고대역폭메모리)에 대해 "AI(인공지능) 시대에 고객에게 새로운 가치를 제공할 수 있는 핵심 제품"이라며 "고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것"이라고 강조했다.

고부가 제품과 선단 공정 생산비중을 높이는 등 R&D(연구개발) 투자 강화 의지도 밝혔다.

이 사장은 "기흥 캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어가겠다"고 했다.