中 "5나노 반도체 제작 가능"

美 등 서방 제재에 기술개발 온힘
화웨이, 인텔이 실패한 공법 성공
독자적인 생산 가능하다고 '주장'

미국과 서방 국가들의 제재로 첨단 반도체 장비를 구하기 어려운 중국이 결국 기존 설비를 최대한 활용해 첨단 반도체를 만들 계획이다. 중국 기업들은 기술 개량을 통해 최신 장비가 없어도 5nm(나노미터·10억분의 1m) 수준의 첨단 반도체를 만들 수 있다고 주장했다.

홍콩 영자지 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 1일 보도에서 업계 관계자를 인용해 중국 최대 반도체 장비 업체인 나우라테크놀러지(북방화창)가 지난달부터 중국 최대 통신장비 업체 화웨이의 기술을 이용해 새로운 노광장비 연구를 시작했다고 전했다. 화웨이는 지난달 광둥성 선전의 반도체 장비 업체 사이캐리어와 협력해 5nm 반도체를 만들 수 있는 '자가 정렬 4중 패턴화(SAQP)' 기술을 개발했다며 중국 국가지식재산권국에 특허를 신청했다. 화웨이는 특허 관련 서류에서 자신들의 특허가 있다면 극자외선(EUV) 노광장비 없이 심자외선(DUV) 노광장비로 5nm 공정의 반도체를 만들 수 있다고 주장했다. 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML이 독점 생산하는 EUV는 7nm 이하 공정의 첨단 반도체 제작에 필수적인 장비다.

네덜란드 정부는 지난 2020년부터 미국의 압박때문에 ASML에 중국으로 가는 EUV 판매를 막았다. SAQP 기술은 2010년대 미 반도체 기업 인텔에서도 시도했던 공법이다. 해당 기술을 사용하면 DUV로 첨단 반도체를 만들 수 있지만 추가 공정이 발생하고 비용이 늘어나는데다 생산성마저 좋지 않다.

인텔은 결국 7nm 반도체 양산에 실패하여 2018년에 반도체 위탁생산(파운드리) 업계에서 철수했다. 화웨이의 기술이 기존 방식과 어떻게 달라졌는 지는 알려지지 않았다.

지난해 8월 화웨이가 출시한 스마트폰 '메이트 60 프로'에서는 7nm 공정으로 제작된 반도체가 발견되었으며 미 의회에서는 중국의 제재 위반 여부를 조사해야 한다는 의견이 나왔다.

[e-mail] 박종원 기자