[단독] SK하이닉스, 美 첫 패키징 생산기지 대표에 이웅선 부사장 선임...'HBM 1등 공신' [FN 테크인사이드]

미국 인디애나주 웨스트라피엣 법인 작년 3분기 신설
패키징기술 개발담당, SK 반도체 기술 혁신 이끌어
웨스트라피엣 공장에서 첨단 패키징 R&D 진행 예정

이웅선 미국 인디애나주 웨스트라피엣 법인 대표. SK하이닉스 뉴스룸

[파이낸셜뉴스]SK하이닉스가 지난해 3·4분기에 신설한 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette LLC) 법인 수장으로 이웅선 부사장을 선임한 것으로 확인됐다.

17일 반도체 업계에 따르면 이 부사장이 최근 SK하이닉스 웨스트라피엣 법인 대표로 취임했다. SK하이닉스 관계자는 "법인 설립 후에 이 부사장이 법인 대표로 선임됐다"고 설명했다.

이 대표는 지난 2005년 SK하이닉스에 입사해 패키지 제품 연구개발(R&D)과 패키징 기술 개발을 담당하며 회사의 반도체 패키징 기술 혁신을 이끌었다. 특히 실리콘관통전극(TSV) 및 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)과 같은 패키징 기술을 활용한 제품 개발에 성공했고, 2013년 세계 최초로 해당 기술을 활용한 제품을 양산했다.

또 2020년부터 12인치 웨이퍼 클린룸을 활용한 HBM 제품의 완전 자동화 대량 생산 시스템을 구축해 SK하이닉스가 HBM 시장 글로벌 1위의 입지를 확고히 하는 데 기여한 인물이다.

이 대표가 이끄는 웨스트라피엣 법인은 지난해 3·4분기에 신설됐다. 웨스트라피엣 법인은 미국 인디애나주 퍼듀대학교 인근에 위치하고 있고, SK하이닉스는 이를 통해 미국 내 반도체 산업 공급망 강화와 패키징 기술 혁신을 선도한다는 목표를 세웠다.

SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM) 제조 및 첨단 패키징 연구개발(R&D)을 진행할 예정이다. 시설 건설에는 38억7000만 달러(약 5조6000억원)를 투자하고, 보조금 4억5800만 달러와 정부대출 5억 달러를 지원받기로 했다.

한편, 법인은 미국 내 반도체 인재 양성 및 기술 협력을 위한 거점 역할도 할 예정이다.

[e-mail] 임수빈 김준석 기자